SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PLACING METHOD

기판의 스트레스의 분포를 개선하여, 기판을 적절하게 유지할 수 있는 기술을 제공한다. 기판 처리 장치는, 기판을 흡착하는 흡착면에, 원 형상의 중앙 영역과, 중앙 영역보다 외측에 배치되는 원환 형상의 외측 영역을 가지는 유지부를 구비한다. 또한, 기판 처리 장치는, 중앙 영역, 및 외측 영역의 둘레 방향을 따라 분할된 복수의 존의 각각에 개별로 흡착 압력을 발생시키는 흡착 압력 발생부와, 유지부의 외연과 상대적으로 중앙 영역을 변위시키는 변형부를 구비한다. 기판 처리 장치의 제어부는, (A) 기판의 휨 상태에 기초하여 적어도 외측...

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Main Authors FUKUSHIMA HIDEYUKI, FUJIWARA MAKOTO, SUGAKAWA KENJI, KOHAMA NORIFUMI, IKEMOTO DAISUKE
Format Patent
LanguageEnglish
Korean
Published 22.08.2024
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Summary:기판의 스트레스의 분포를 개선하여, 기판을 적절하게 유지할 수 있는 기술을 제공한다. 기판 처리 장치는, 기판을 흡착하는 흡착면에, 원 형상의 중앙 영역과, 중앙 영역보다 외측에 배치되는 원환 형상의 외측 영역을 가지는 유지부를 구비한다. 또한, 기판 처리 장치는, 중앙 영역, 및 외측 영역의 둘레 방향을 따라 분할된 복수의 존의 각각에 개별로 흡착 압력을 발생시키는 흡착 압력 발생부와, 유지부의 외연과 상대적으로 중앙 영역을 변위시키는 변형부를 구비한다. 기판 처리 장치의 제어부는, (A) 기판의 휨 상태에 기초하여 적어도 외측 영역의 복수의 존의 일부에 흡착 압력을 발생시켜 흡착면에 기판을 흡착시키는 공정과, (B) (A)의 공정 후, 당해 (A)의 공정을 계속하면서 흡착면을 변형시키는 공정을 제어한다. A substrate processing apparatus is equipped with a holder having, on an attraction surface configured to attract a substrate, a circular central region and an annular outer region disposed outside the central region. The substrate processing apparatus includes an attracting pressure generator configured to generate an attracting pressure in the central region and each of multiple zones separated along a circumferential direction of the outer region individually; a transforming device configured to transform the central region relative to an outer edge of the holder. A controller controls: attracting the substrate to the attraction surface, based on a bending state of the substrate, by generating the attracting pressure in at least some of the multiple zones of the outer region; and transforming, after the attracting of the substrate, the attraction surface while carrying on the attracting of the substrate.
Bibliography:Application Number: KR20240018318