MEMORY CONTROLLER MEMORY SYSTEM COMPRISING THEREOF AND OPERATION METHOD OF MEMORY CONTROLLER

• Main Authors: JO MIN JIN, CHEON YOUN SOO, NO HAE DONG, JEON YOU JIN
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 22.08.2024
• Subjects: CALCULATING; COMPUTING; COUNTING; ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING; INFORMATION STORAGE; PHYSICS; STATIC STORES

본 개시의 기술적 사상의 일측면에 따른 메모리 컨트롤러의 동작 방법은, 메모리 장치로 밸리 서치 커맨드를 전송하는 단계, 메모리 장치로부터 셀 카운트 값 및 밸리 전압 레벨을 획득하는 단계, 셀 카운트 값 및 밸리 전압 레벨을 기초로 오프셋 테이블을 탐색하여 결정된 오프셋 값을 획득하는 단계 및 오프셋 값을 기초로 밸리 전압 레벨을 보정하여 보정된 독출 전압 레벨을 결정하는 단계를 포함하고, 보정된 독출 전압 레벨을 통해 메모리 장치가 독출 동작을 수행할 수 있도록 메모리 장치를 제어할 수 있다. Provided is a method of operating a memory controller for controlling a memory device including a plurality of memory cells, the method including transmitting a valley search command for threshold voltage distribution of the memory cells to the memory device, obtaining a cell count value and a valley voltage level from the memory device, obtaining a determined offset value by searching an offset table based on the cell count value and the valley voltage level, and determining a corrected read voltage level by correcting the valley voltage level based on obtained the offset value, wherein the memory device is controlled so that the memory device performs a read operation through the corrected read voltage level.