IMAGE SENSOR AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

• Main Authors: KIM JINGYUN, BAE BYEONGTAEK, NOH JONGHYEON, KIM KOOK TAE
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 14.08.2024
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

본 발명에 따른 이미지 센서는 복수의 픽셀 영역들을 포함하고, 서로 대향하는 제1 면 및 제2 면을 포함하는 기판; 및 상기 기판을 관통하고, 상기 복수의 픽셀 영역들 사이에 배치되는 깊은 소자분리패턴을 포함할 수 있다. 상기 깊은 소자분리패턴은: 상기 제2 면에 인접하는 제1 매립 패턴; 상기 제1 매립 패턴 상에 배치되고 상기 제1 면에 인접하는 제2 매립 패턴; 상기 제1 매립 패턴 상기 기판 사이의 반도체 패턴 상기 반도체 패턴 상에 배치되고 상기 기판과 상기 제2 매립 패턴 사이의 산화 반도체 패턴; 및 상기 반도체 패턴과 상기 기판 사이의 측면 절연 패턴을 포함하고, 상기 반도체 패턴과 상기 산화 반도체 패턴은 직접 접할 수 있다. An image sensor includes a substrate including a plurality of pixel regions, a first surface, and a second surface that is opposite to the first surface, and a deep device isolation pattern penetrating the substrate and between the plurality of pixel regions, the deep device isolation pattern including a first filling pattern adjacent to the second surface, a second filling pattern on the first filling pattern and adjacent to the first surface, a semiconductor pattern between the first filling pattern and the substrate, an oxidized semiconductor pattern on the semiconductor pattern and between the substrate and the second filling pattern, and a side insulating pattern between the semiconductor pattern and the substrate, where the semiconductor pattern directly contacts the oxidized semiconductor pattern.