SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD

• Main Authors: BYUNEUN, LEE SANG MUN, SONG KI MIN, HONG JEONG HO, KWON HYE RIM, OH YOUNG MAN, BAIK WOO SUNG
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 13.08.2024
• Subjects: CHEMICAL SURFACE TREATMENT; CHEMISTRY; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; COATING METALLIC MATERIAL; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL; METALLURGY; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION

본 발명의 일실시예에 따른 기판 처리 장치는, 기판이 배치되고 상기 기판을 회전시키는 회전부, 제1 전구체 화합물을 포함하는 증기에 상기 기판을 노출시키는 제1 공간부, 제2 전구체 화합물을 포함하는 증기에 상기 기판을 노출시키는 제2 공간부 및 상기 제1 공간부와 상기 제2 공간부 사이에 형성되어, 퍼지가스를 상기 기판에 노출시키는 제1 퍼지부를 포함한다. 본 발명의 기판 처리 장치는 제1 전구체 화합물과 제2 전구체 화합물의 증착 공간을 분리함으로써 기판 상에 증착막을 정교하게 균일하게 형성시킬 수 있다. A substrate processing apparatus, according to one embodiment of the present invention, comprises: a rotation part having a substrate arranged and rotating the substrate; a first space part for exposing the substrate to vapor containing a first precursor compound; a second space part for exposing the substrate to vapor containing a second precursor compound; and a first purge part formed between the first space part and the second space part and exposing purge gas to the substrate. The substrate processing apparatus of the present invention separates deposition spaces for the first precursor compound and the second precursor compound and thus enables the precise and uniform formation of a deposited film on the substrate.