SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING BONDING PAD AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

• Main Author: LEE BYUNG HO
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 24.07.2024
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

본 실시예의 반도체 장치는, 제1 절연층 및 제1 본딩 절연층의 적층 구조를 포함하는 제1 반도체 구조물; 제2 절연층 및 제2 본딩 절연층의 적층 구조를 포함하는 제2 반도체 구조물; 및 상기 제1 절연층 및 상기 제1 본딩 절연층의 적층 구조, 및 상기 제2 절연층 및 상기 제2 본딩 절연층의 적층 구조를 관통하는 본딩 패드를 포함하고, 상기 제1 본딩 절연층과 상기 제2 본딩 절연층은 서로 접촉하고, 상기 본딩 패드 중 상기 제1 절연층을 관통하는 제1 부분의 제1 폭은, 상기 본딩 패드 중 상기 제1 본딩 절연층을 관통하는 부분의 제2 폭 및 상기 본딩 패드 중 상기 제2 본딩 절연층을 관통하는 부분의 제3 폭 각각보다 클 수 있다. A semiconductor device includes: a first semiconductor structure including a stacked structure of a first dielectric layer and a first bonding dielectric layer; a second semiconductor structure including a stacked structure of a second dielectric layer and a second bonding dielectric layer; and a bonding pad penetrating the stacked structure of the first dielectric layer and the first bonding dielectric layer, and the stacked structure of the second dielectric layer and the second bonding dielectric layer, wherein the first bonding dielectric layer and the second bonding dielectric layer contact each other, and a first width of a first portion of the bonding pad penetrating the first dielectric layer is greater than each of a second width of a second portion of the bonding pad penetrating the first bonding dielectric layer, and a third width of a third portion of the bonding pad penetrating the second bonding dielectric layer.