Schottky-barrier photodetector

개시된 광검출기는 반도체층, 상기 반도체층과 쇼트키 접합(Schottky Junction) 구조를 형성하는 전도층, 상기 반도체층과 상기 전도층 사이에 개재되어 상기 반도체층과 상기 전도층 사이에서의 암전류를 차단하는 터널링 배리어층을 포함한다. 터널링 배리어층은 낮은 에너지의 입사광에 의한 암전류를 차단한다. A photodetector, including: a semiconductor layer, a conductive layer forming a Schottky junction with the semiconductor laye...

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Main Author BAIK, CHAN WOOK
Format Patent
LanguageEnglish
Korean
Published 23.07.2024
Subjects
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
ELECTRICITY
SEMICONDUCTOR DEVICES
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Summary:개시된 광검출기는 반도체층, 상기 반도체층과 쇼트키 접합(Schottky Junction) 구조를 형성하는 전도층, 상기 반도체층과 상기 전도층 사이에 개재되어 상기 반도체층과 상기 전도층 사이에서의 암전류를 차단하는 터널링 배리어층을 포함한다. 터널링 배리어층은 낮은 에너지의 입사광에 의한 암전류를 차단한다. A photodetector, including: a semiconductor layer, a conductive layer forming a Schottky junction with the semiconductor layer, and a tunneling barrier layer between the semiconductor layer and the conductive layer, wherein the tunneling barrier layer may be configured to block a dark current between the semiconductor layer and the conductive layer.
Bibliography:Application Number: KR20230006309