SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME
반도체 디바이스를 제조하기 위한 방법은 먼저 기판 상에 제1 게이트 구조를 형성하는 단계 및 이어서 제1 게이트 구조에 인접하는 제1 에피택셜 층을 형성하는 단계를 포함한다. 바람직하게는, 제1 에피택셜 층의 상부 표면은 제1 만곡부, 제2 만곡부, 및 제1 만곡부와 제2 만곡부를 연결하는 제3 만곡부를 포함하고, 여기서 제1 만곡부와 제2 만곡부는 아래쪽으로 오목한 만곡부들을 포함하는 반면 제3 만곡부는 위쪽으로 오목한 만곡부를 포함한다. A method for fabricating a semiconductor device inc...
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Format | Patent |
Language | English Korean |
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22.07.2024
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Summary: | 반도체 디바이스를 제조하기 위한 방법은 먼저 기판 상에 제1 게이트 구조를 형성하는 단계 및 이어서 제1 게이트 구조에 인접하는 제1 에피택셜 층을 형성하는 단계를 포함한다. 바람직하게는, 제1 에피택셜 층의 상부 표면은 제1 만곡부, 제2 만곡부, 및 제1 만곡부와 제2 만곡부를 연결하는 제3 만곡부를 포함하고, 여기서 제1 만곡부와 제2 만곡부는 아래쪽으로 오목한 만곡부들을 포함하는 반면 제3 만곡부는 위쪽으로 오목한 만곡부를 포함한다.
A method for fabricating a semiconductor device includes the steps of first forming a first gate structure on a substrate and then forming a first epitaxial layer adjacent to the first gate structure. Preferably, a top surface of the first epitaxial layer includes a first curve, a second curve, and a third curve connecting the first curve and the second curve, in which the first curve and the second curve include curves concave downward while the third curve includes a curve concave upward. |
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Bibliography: | Application Number: KR20230030639 |