SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

• Main Authors: LIN CHUN-HSIEN, LU SHIH-MIN, YANG CHIH-WEI, WANG YAO-JHAN, TSENG CHI-SHENG
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 22.07.2024
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

반도체 디바이스를 제조하기 위한 방법은 먼저 기판 상에 제1 게이트 구조를 형성하는 단계 및 이어서 제1 게이트 구조에 인접하는 제1 에피택셜 층을 형성하는 단계를 포함한다. 바람직하게는, 제1 에피택셜 층의 상부 표면은 제1 만곡부, 제2 만곡부, 및 제1 만곡부와 제2 만곡부를 연결하는 제3 만곡부를 포함하고, 여기서 제1 만곡부와 제2 만곡부는 아래쪽으로 오목한 만곡부들을 포함하는 반면 제3 만곡부는 위쪽으로 오목한 만곡부를 포함한다. A method for fabricating a semiconductor device includes the steps of first forming a first gate structure on a substrate and then forming a first epitaxial layer adjacent to the first gate structure. Preferably, a top surface of the first epitaxial layer includes a first curve, a second curve, and a third curve connecting the first curve and the second curve, in which the first curve and the second curve include curves concave downward while the third curve includes a curve concave upward.