POWER SEMICONDUCTOR DEVICE

• Main Authors: SHIN HONG SIK, KIM YOUNG BAE
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 22.07.2024
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; PULSE TECHNIQUE; SEMICONDUCTOR DEVICES

전력 반도체 소자가 개시된다. 상기 전력 반도체 소자는, 고전압을 출력하도록 구성된 고전압 유닛과, 저전압을 출력하도록 구성된 저전압 유닛과, 상기 고전압 유닛과 전기적으로 연결되며, 상기 고전압이 출력되는 동안 상기 고전압 유닛에 전력을 제공하는 커패시터와, 상기 고전압 유닛 및 상기 커패시터와 전기적으로 연결되며, 상기 저전압이 출력되는 동안 상기 커패시터를 충전하기 위해 상기 커패시터와 구동 전원 사이를 연결하고, 상기 고전압이 출력되는 동안 상기 고전압 유닛과 상기 구동 전원이 전기적으로 서로 연결되는 것을 방지하기 위한 스위칭 유닛과, 상기 스위칭 유닛과 상기 고전압 유닛 사이에 전기적으로 연결되며, 상기 고전압이 출력되는 동안 상기 고전압을 상기 스위칭 유닛의 항복 전압보다 낮은 전압으로 강하시키는 저항 유닛을 포함한다. A power semiconductor device includes a high voltage unit configured to output a high voltage, a low voltage unit configured to output a low voltage, a capacitor electrically connected to the high voltage unit and supplying power to the high voltage unit while the high voltage is output, a switching unit electrically connected to the high voltage unit and the capacitor and configured to connect the capacitor to a driving power source to charge the capacitor while the low voltage is output and to prevent the high voltage unit from being electrically connected to the driving power source while the high voltage is output, and a resistance unit electrically connected between the switching unit and the high voltage unit and configured to drop the high voltage to a voltage lower than a breakdown voltage of the switching unit while the high voltage is output.