주변 패턴 및 공정 인식 메트롤로지
리소그래피 장치에서 리소그래피 공정을 사용해 기판 상에 패턴을 이미징하는 데 사용하기 위한 마크를 디자인하기 위한 방법 및 시스템이 설명된다. 상기 방법은 마크 구성을 획득하는 단계, 마크 구성과 연관된 지오메트리 파라미터의 공간적 변동을 획득하는 단계 및 마크의 개별 패턴들의 지오메트리 디자인을 공간적 변동 및 마크의 공간적 위치에 기반하여 결정하는 단계를 포함한다. Described a method and system for designing a mark for use in imaging of a pattern on a subs...
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Format | Patent |
Language | Korean |
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19.07.2024
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Summary: | 리소그래피 장치에서 리소그래피 공정을 사용해 기판 상에 패턴을 이미징하는 데 사용하기 위한 마크를 디자인하기 위한 방법 및 시스템이 설명된다. 상기 방법은 마크 구성을 획득하는 단계, 마크 구성과 연관된 지오메트리 파라미터의 공간적 변동을 획득하는 단계 및 마크의 개별 패턴들의 지오메트리 디자인을 공간적 변동 및 마크의 공간적 위치에 기반하여 결정하는 단계를 포함한다.
Described a method and system for designing a mark for use in imaging of a pattern on a substrate using a lithographic process in a lithographic apparatus. The method includes obtaining a mark construction, obtaining a spatial variation of a geometric parameter associated with the mark construction, and determining geometry design of individual patterns of a mark based on the spatial variation and a spatial location of the mark. |
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Bibliography: | Application Number: KR20247022646 |