고온 관상로

• Main Authors: LV CE, ZHANG XIAOYAN, ZHANG SHAN, WANG JIAN, WANG JUN, JIA SHENA, PARK JAE SUNG, KIM JOHN, ZHOU DONGCHENG, SHEN HUI, KIM YY, WANG HUI
• Format: Patent
• Language: Korean
• Published: 10.07.2024
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; CHEMISTRY; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; COATING METALLIC MATERIAL; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL; METALLURGY; SEMICONDUCTOR DEVICES; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION

고온 관상로(high-temperature tube furnace)는, 프로세스 튜브(process tube)(1)로서, 상단부에 배열되어 복수의 관통 구멍(1011)을 갖는 상부 커버(101); 및 프로세스 튜브(1)의 상부 커버(101) 내의 관통 구멍(1011)과 연통하는 가스 공급 파이프(gas supply pipe)(2)로서, 상기 가스 공급 파이프(2) 및 상기 프로세스 튜브(1)의 상부 커버(101)의 관통 구멍(1011)을 통해 상기 프로세스 튜브(1) 내로 프로세스 가스를 도입하는 가스 공급 파이프; 및 상기 프로세스 튜브(1) 내에 배열되고, 지지 프레임(301)과 지지 플레이트(302)를 포함하는 웨이퍼 보트(wafer boat)(3)를 포함하고, 평면형 지지 플레이트(302)는 상기 지지 프레임(301)의 길이 방향을 따라 복수의 층으로 분포되어 복수의 기판(w)을 지지하는데 사용되고, 각 기판(w)은 평면형 지지 플레이트(302)의 층에 배치되고, 각 평면형 지지 플레이트(302)의 층은 각 기판(w)의 바닥 전체를 지지한다. 평면형 지지 플레이트(302)의 복수 층이 제공되고, 각 평면형 지지 플레이트(302)의 층은 기판(w)의 바닥 전체를 지지하므로, 1200℃ 이상의 고온 공정 동안에 기판(w)의 하향 변형에 의해 야기되는 기판(w)의 격자 결함을 방지하고, 칩 수율을 개선한다. A high-temperature tube furnace, comprising: a process tube (1) with a top cover (101) arranged on the top end thereof, the top cover (101) being provided with a through hole (1011); a gas supply pipe (2) communicating with the through hole (1011) in the top cover (101) of the process tube (1), process gas being introduced into the process tube (1) through the gas supply pipe (2) and the through hole (1011) in the top cover (101) of the process tube (1); a wafer boat (3) which is arranged in the process tube (1) and comprises a supporting frame (301) and flat supporting plates (302), the flat supporting plates (302) being distributed in multiple layers in the length direction of the supporting frame (301) and used for supporting multiple substrates (w), each substrate (w) being placed on a flat supporting plate (302) layer, and each flat supporting plate (302) layer supporting the entire bottom of a substrate (w). The multiple layers of flat supporting plates (302) are provided, and each flat supporting plate (302) layer supports the entire bottom of a substrate (w), thus avoiding defects of lattices in the substrates (w) caused by downward deformation of the substrates (w) during a high temperature process of 1200 °C or above, and improving the yield of chips.