INVERTER COMPOSED OF HETEROJUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR AND UNIPOLAR FIELD EFFECT TRANSISTOR

본 발명에 따르면, 기판; 상기 기판 일 면 상에 배치되는 절연체층; 상기 절연체층 일 면 상의 일 부분에 배치되는 n형 반도체; 상기 n형 반도체 일 면 상에 서로 이격되어 배치되는 제1 전극 및 제2 전극; 상기 절연체층 일 면 상에 배치되는 제3 전극; 및 상기 제2 전극 및 상기 제3 전극 사이에 배치되는 p형 반도체를 포함하는 인버터이다....

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Main Authors HOCHEON YOO, SOMI KIM, BONGJUN KIM, SEOYEON JUNG
Format Patent
LanguageEnglish
Korean
Published 09.07.2024
Subjects
ELECTRICITY
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Summary:본 발명에 따르면, 기판; 상기 기판 일 면 상에 배치되는 절연체층; 상기 절연체층 일 면 상의 일 부분에 배치되는 n형 반도체; 상기 n형 반도체 일 면 상에 서로 이격되어 배치되는 제1 전극 및 제2 전극; 상기 절연체층 일 면 상에 배치되는 제3 전극; 및 상기 제2 전극 및 상기 제3 전극 사이에 배치되는 p형 반도체를 포함하는 인버터이다.
Bibliography:Application Number: KR20220190263