포토마스크에 대한 작업을 교정하기 위한 방법 및 장치
본 발명은 마스크에 대한 작업(operation)을 교정하기 위한 방법 및 장치에 관한 것이다. 입자 빔을 사용하여 리소그래피용 오브젝트 상에 보정 마크들을 생성하기 위한, 특히 작업을 교정하기 위한 방법은, (a.) 보정 마크들의 제 1 그룹을 생성하는 단계; (b.) 보정 마크들의 제 2 그룹을 생성하는 단계를 포함하며, (c.) 상기 제 1 그룹 내 및 상기 제 2 그룹 내에서의 상기 보정 마크들의 이격 거리(separation)가 상기 제 1 그룹으로부터의 보정 마크들과 상기 제 2 그룹으로부터의 보정 마크들 사이의 이격 거...
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Format | Patent |
Language | Korean |
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09.07.2024
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Summary: | 본 발명은 마스크에 대한 작업(operation)을 교정하기 위한 방법 및 장치에 관한 것이다. 입자 빔을 사용하여 리소그래피용 오브젝트 상에 보정 마크들을 생성하기 위한, 특히 작업을 교정하기 위한 방법은, (a.) 보정 마크들의 제 1 그룹을 생성하는 단계; (b.) 보정 마크들의 제 2 그룹을 생성하는 단계를 포함하며, (c.) 상기 제 1 그룹 내 및 상기 제 2 그룹 내에서의 상기 보정 마크들의 이격 거리(separation)가 상기 제 1 그룹으로부터의 보정 마크들과 상기 제 2 그룹으로부터의 보정 마크들 사이의 이격 거리보다 작다.
The present invention relates to a method and an apparatus for calibrating an operation on a mask. A method for producing correction marks on an object for lithography, in particular for calibrating an operation, using a particle beam includes: (a.) producing a first group of correction marks; and (b.) producing a second group of correction marks; (c.) wherein the separations of the correction marks within the first and within the second group are smaller than the separations between correction marks from the first group and correction marks from the second group. |
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Bibliography: | Application Number: KR20247020783 |