METHOD OF OPERATING MEMORY DEVICE AND MEMORY DEVICE PERFORMING THE SAME

• Main Authors: PARK JUNE HONG, KIM CHI HYUN, YOON CHI WEON, YOON JA YANG, CHOI HYEONG DO
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 08.07.2024
• Subjects: INFORMATION STORAGE; PHYSICS; STATIC STORES

복수의 워드 라인들과 연결되는 메모리 블록을 포함하는 메모리 장치의 동작 방법에서, 복수의 워드 라인들에 제1 구동 전압들을 인가하여, 메모리 블록에 대해 제1 동작을 수행한다. 제1 동작이 완료된 이후에, 복수의 워드 라인들에 인가된 제1 구동 전압들을 방전시키는 제1 리커버리 동작을 수행한다. 제1 리커버리 동작이 완료된 이후에, 복수의 워드 라인들에 제2 구동 전압들을 인가하여, 메모리 블록에 대해 제2 동작을 수행한다. 제1 리커버리 동작에서, 제1 구동 전압들에 의해 저장된 전하들 중 제1 전하들은 적어도 하나의 전하 재활용 워드 라인과 연결되는 전하 재활용 메모리 블록에 저장된다. 제2 동작에서, 전하 재활용 메모리 블록에 저장된 제1 전하들을 이용하여 복수의 워드 라인들에 제2 구동 전압들을 인가한다. In a method of operating a memory device, a first operation is performed on a memory block by applying first driving voltages to a plurality of wordlines. After the first operation is completed, a first recovery operation in which the first driving voltages applied to the plurality of wordlines are discharged is performed. After the first recovery operation is completed, a second operation is performed on the memory block by applying second driving voltages to the plurality of wordlines. In the first recovery operation, first charges among a plurality of charges stored by the first driving voltages are stored in a charge recycling memory block connected to at least one charge recycling wordline. In the second operation, the second driving voltages are applied to the plurality of wordlines using the first charges stored in the charge recycling memory block.