Semiconductor device

• Main Authors: SONG MOON KYUN, LEE EUI BOK
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 05.07.2024
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

소자 성능 및 신뢰성을 개선할 수 있는 반도체 장치를 제공하는 것이다. 반도체 장치는 제1 방향으로 반대되는 제1 면 및 제2 면을 포함하는 기판, 기판의 제1 면으로부터 제1 방향으로 돌출되고, 제2 방향으로 연장된 핀형 패턴, 기판 상에 배치되고, 핀형 패턴의 측벽을 덮는 필드 절연막, 핀형 패턴 상에 배치된 소오스/드레인 패턴, 필드 절연막의 상면 및 소오스/드레인 패턴의 측벽을 따라 연장된 소오스/드레인 식각 정지막, 소오스/드레인 패턴 상에 배치되고, 소오스/드레인 패턴과 연결된 소오스/드레인 컨택, 기판을 관통하고, 소오스/드레인 컨택과 연결되는 매립 도전 패턴으로, 매립 도전 패턴의 일부는 필드 절연막 내에 배치된 매립 도전 패턴, 및 기판의 제2 면 상에 배치되고, 매립 도전 패턴과 연결된 후면 배선 라인을 포함하고, 필드 절연막은 필드 절연막의 상면을 포함하는 제1 필드 필링막과, 제1 필드 필링막과 기판 사이에 배치된 제1 필드 정지막을 포함하고, 제1 필드 정지막은 제1 필드 필링막에 대한 식각 선택비를 갖는 물질을 포함한다. A semiconductor device includes a fin-shaped pattern, a field insulating film covering a sidewall of the fin-shaped pattern, a source/drain pattern disposed on an upper surface of the fin-shaped pattern, a source/drain etch stop film extending along an upper surface of the field insulating film and a sidewall of the source/drain pattern, a source/drain contact connected to the source/drain pattern, a buried conductive pattern penetrating through a substrate and connected to the source/drain contact, a portion of the buried conductive pattern being disposed within the field insulating film, and a rear wiring line connected to the buried conductive pattern. The field insulating film includes a first field filling film and a first field stop film. The first field stop film is disposed between the first field filling film and the substrate. The first field stop film includes a material having etch selectivity with respect to the first field filling film.