SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHODS FOR FORMING THE SAME

반도체 소자는, 상면이 구비된 기판; 상기 상면에 형성되는 버퍼층; 및 상기 버퍼층에 형성된 소자 구조를 포함한다. 상기 기판은 복수의 공동을 포함하고, 상기 복수의 공동은 상기 기판 내부에서 상기 기판의 상면까지 연장되고, 상기 기판의 상면에 복수의 개구를 형성하고, 해당 반도체 소자의 단면도에서, 적어도 2개의 공동은 서로 다른 깊이를 갖는다. A semiconductor device includes a substrate having an upper surface, a buffer layer formed on the upper...

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Main Authors WANG TIEN YU, LIN YUNG HSIANG
Format Patent
LanguageEnglish
Korean
Published 04.07.2024
Subjects
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
ELECTRICITY
SEMICONDUCTOR DEVICES
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Summary:반도체 소자는, 상면이 구비된 기판; 상기 상면에 형성되는 버퍼층; 및 상기 버퍼층에 형성된 소자 구조를 포함한다. 상기 기판은 복수의 공동을 포함하고, 상기 복수의 공동은 상기 기판 내부에서 상기 기판의 상면까지 연장되고, 상기 기판의 상면에 복수의 개구를 형성하고, 해당 반도체 소자의 단면도에서, 적어도 2개의 공동은 서로 다른 깊이를 갖는다. A semiconductor device includes a substrate having an upper surface, a buffer layer formed on the upper surface, and an element structure formed on the buffer layer. The substrate includes a plurality of holes extending from the upper surface of the substrate to an inside of the substrate and forming a plurality of openings at the upper surface of the substrate. In a cross-sectional view of the semiconductor device, at least two of the holes have different depths.
Bibliography:Application Number: KR20230189967