Method of forming a pattern structure including a silicon nitride
본 발명의 일 관점에 의하면, 실리콘 질화물을 포함하는 패턴구조 형성방법이 제공된다. 본 발명의 일 실시예에 의하면, 상기 패턴구조 형성방법은, 개구부 주변 및 바닥부가 제 1 실리콘 질화물로 구성된 리세스 영역을 포함하는 패턴구조가 일면 상에 형성된 기판을 기판 처리장치 내로 제공하는 단계; (a1) 제 1 실리콘 질화물 상에 제 2 실리콘 질화물을 성막하되, 개구부 주변에서의 성막두께에 비해 바닥부에서의 성막두께가 더 작은 값을 가지도록 성막하는, 성막단계; (b1) 개구부 주변에서는 (a1) 단계에서 성막한 두께만큼 제 2 실...
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Format | Patent |
Language | English Korean |
Published |
04.07.2024
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