Photoresist composition and method of fabricating semiconductor device
중심금속을 포함하는 유기금속화합물; 제1 리간드 화합물; 및 제2 리간드 화합물을 포함하고, 상기 제1 리간드 화합물은 상기 중심금속과 결합을 이루고, 상기 제2 리간드 화합물은 상기 중심금속과 결합을 이루지 않고, 상기 제1 리간드 화합물 또는 제2 리간드 화합물은 할로겐 원소를 포함하는 포토레지스트 조성물이 제공된다. 본 발명의 포토레지스트 조성물은 안정성을 확보하면서 감광도를 향상시킬 수 있다. Provided is a photoresist composition including an organometallic compound...
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Format | Patent |
Language | English Korean |
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04.07.2024
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Summary: | 중심금속을 포함하는 유기금속화합물; 제1 리간드 화합물; 및 제2 리간드 화합물을 포함하고, 상기 제1 리간드 화합물은 상기 중심금속과 결합을 이루고, 상기 제2 리간드 화합물은 상기 중심금속과 결합을 이루지 않고, 상기 제1 리간드 화합물 또는 제2 리간드 화합물은 할로겐 원소를 포함하는 포토레지스트 조성물이 제공된다. 본 발명의 포토레지스트 조성물은 안정성을 확보하면서 감광도를 향상시킬 수 있다.
Provided is a photoresist composition including an organometallic compound including: a central metal; a first ligand compound; and a second ligand compound, wherein the first ligand compound bonds with the central metal, the second ligand compound does not bond with the central metal, and the first or second ligand compound includes a halogen element. The photoresist composition may improve photosensitivity while securing stability. |
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Bibliography: | Application Number: KR20220186129 |