SEMICONDUCOTR DEVICE AND ELECTRONIC SYSTEM INCLUDING THE SAME

• Main Authors: KIM JIHONG, CHOI, HYUN MOOK, KIM, CHAE LYOUNG
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 03.07.2024
• Subjects: ELECTRICITY

본 개시는 반도체 장치 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 일 실시예에 따른 반도체 장치는 기판 상에 교대로 적층되어 있는 게이트층들 및 하부 절연층들, 게이트층들 및 하부 절연층들을 관통하며, 제1 방향을 따라 연장되어 있는 채널 구조물, 채널 구조물 위에 위치하는 스트링 선택 게이트층, 스트링 선택 게이트층을 관통하며, 제1 방향을 따라 연장되는 스트링 선택 채널 구조물, 및 채널 구조물과 스트링 선택 채널 구조물 사이에 위치하며, 채널 구조물과 스트링 선택 채널 구조물 사이를 연결하는 컨택 패드를 포함하고, 컨택 패드가 채널 구조물과 접하는 부분의 폭은 컨택 패드의 중심부의 폭보다 크고, 컨택 패드가 스트링 선택 채널 구조물과 접하는 부분의 폭은 컨택 패드의 중심부의 폭보다 크다. A semiconductor device includes gate layers and lower insulating layers that are alternately stacked on an upper surface of a substrate, a channel structure passing through the gate layers and the lower insulating layers and extending in a vertical direction, a string select gate layer disposed on the channel structure, a string select channel structure passing through the string select gate layer and extending in the vertical direction, and a contact pad disposed in a space between the channel structure and the string select channel structure and connecting the channel structure to the string select channel structure. A lower surface of the contact pad contacts the channel structure and an upper surface of the contact pad contacts the string select channel structure. A first width of the lower surface of the contact pad is greater than a second width of a central portion of the contact pad. A third width of the upper surface of the contact pad is greater than the second width of the central portion of the contact pad.