SEMICONDUCTOR DEVICE

• Main Authors: KANG BYUNGYUN, KIM HYUNGJUNE, KIM DONGHYUN
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 01.07.2024
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

본 개시는 반도체 장치에 관한 것으로, 일 실시예에 따른 반도체 장치는 서로 마주보는 제1 면 및 제2 면을 포함하는 기판, 기판의 제1 면 위에 위치하는 제1 배선, 기판의 제1 면 위에 위치하고, 제1 배선과 이격되어 있는 제1 더미 배선, 기판의 제2 면 위에 위치하는 제2 배선, 기판의 제2 면 위에 위치하고, 제2 배선과 이격되어 있는 제2 더미 배선, 기판을 관통하고, 제1 배선과 제2 배선 사이를 연결하는 관통 비아, 및 기판을 관통하고, 제1 배선 및 제2 배선과 비중첩하는 복수의 더미 관통 비아를 포함하고, 복수의 더미 관통 비아 중 적어도 하나의 중심은 제1 더미 배선 및 제2 더미 배선 중 적어도 어느 하나와 비중첩한다. A semiconductor device according to the disclosure includes: a substrate including a first side and a second side opposite each other with a thickness therebetween, a first wire disposed on the first side of the substrate, a first dummy wire disposed on the first side of the substrate and spaced apart from the first wire, a second wire disposed on the second side of the substrate, a second dummy wire disposed on the second side of the substrate and spaced apart from the second wire, a through via passing through the substrate and connecting the first wire and the second wire, and a plurality of dummy through vias passing through the substrate , wherein the plurality of dummy through vias are laterally offset and physically separated from the first wire and the second wire, wherein a center of at least one of the plurality of dummy through vias is laterally offset from an edge of at least one of the first dummy wire and the second dummy wire.