플라즈마 강화 막 형성 방법

• Main Authors: IWAO TOSHIHIKO, ZHAO JIANPING
• Format: Patent
• Language: Korean
• Published: 28.06.2024
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

제1 가스 및 제2 가스를 기판을 포함하는 플라즈마 처리 챔버로 유동시키는 단계로서, 제2 가스는 막 전구체를 포함하는, 단계; 제1 시간 인스턴스에, 제1 가스의 유동을 유지하는 동안, 플라즈마 처리 챔버로의 제2 가스의 유동을 차단하는 단계; 및 제1 시간 인스턴스 후의 제2 시간 인스턴스에, 플라즈마 처리 챔버의 전극에 전력을 공급하여 플라즈마 처리 챔버 내에 플라즈마를 생성시키는 단계로서, 기판의 표면은 생성된 플라즈마에 노출되어 기판 위에 막을 형성하는, 단계를 포함하는, 플라즈마 처리 방법. A method of plasma processing that includes: flowing a first gas and a second gas into a plasma processing chamber including a substrate, the second gas including a film precursor; at a first time instance, while maintaining the flow of the first gas, shutting off the flow of the second gas into the plasma processing chamber; and at a second time instance after the first time instance, powering an electrode of the plasma processing chamber to generate a plasma within the plasma processing chamber, the surface of the substrate being exposed to the generated plasma to form a film over the substrate.