Substrate processing apparatus and substrate processing method

본 발명의 기술적 사상은 상부 공간 및 기판을 처리하는 하부 공간을 포함하는 챔버; 상기 하부 공간에서 상기 기판을 지지하는 기판 지지부; 상기 상부 공간에 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 소스; 상기 상부 공간 및 상기 하부 공간을 구획하고, 상기 상부 공간으로부터 상기 하부 공간으로 상기 플라즈마의 레디컬을 통과시켜 상기 기판으로 제공하기 위한 관통 구멍들을 포함하는 이온 블록커; 및 상기 이온 블록커와 연결되는 복수개의 히터, 하나 이상의 칠러 및 상기히터 및 상기 칠러의 출력을 제어하는 제어부를 포함하는 온도 조절부를 포함하되...

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Main Authors JEONG CHAN YEONG, BANG JEONG MIN, CHOI IL GON, LEE YEONG KWANG, KWON SOON KU, KANG SUNG GIL
Format Patent
LanguageEnglish
Korean
Published 26.06.2024
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Summary:본 발명의 기술적 사상은 상부 공간 및 기판을 처리하는 하부 공간을 포함하는 챔버; 상기 하부 공간에서 상기 기판을 지지하는 기판 지지부; 상기 상부 공간에 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 소스; 상기 상부 공간 및 상기 하부 공간을 구획하고, 상기 상부 공간으로부터 상기 하부 공간으로 상기 플라즈마의 레디컬을 통과시켜 상기 기판으로 제공하기 위한 관통 구멍들을 포함하는 이온 블록커; 및 상기 이온 블록커와 연결되는 복수개의 히터, 하나 이상의 칠러 및 상기히터 및 상기 칠러의 출력을 제어하는 제어부를 포함하는 온도 조절부를 포함하되, 상기 이온 블록커는 각각 상기 히터와 연결되는 히팅 라인을 포함하는 복수개의 영역으로 구획되고, 상기 복수개의 영역 사이에는 상기 칠러와 연결되는 냉각 유로를 포함하는 하나 이상의 경계영역이 위치하되, 상기 복수개의 영역은 각각 독립적으로 온도가 제어되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치를 제공한다. A substrate processing apparatus includes a chamber including a first space and a second space, a substrate support in the first space and configured to support a substrate, a plasma source configured to generate plasma in the second space, an ion blocker between the second space and the first space, the ion blocker including through-holes configured to pass therethrough radicals of the plasma from the second space to the first space and provide the radicals to the substrate, and a temperature controller including a plurality of heaters connected to the ion blocker, one or more chillers, and a controller configured to control output of the plurality of heaters and output of the one or more chillers, where the ion blocker includes a plurality of regions, each of the plurality of regions including a heating line, one or more boundary regions.
Bibliography:Application Number: KR20220178694