하전 입자 평가 시스템 및 방법

본 발명은 샘플을 향해 하전 입자 빔을 투영하는 하전 입자 평가 시스템을 제공한다. 상기 시스템은 샘플을 유지하도록 구성되는 샘플 홀더; 하전 입자 소스로부터의 하전 입자 빔을 빔 하류로 샘플을 향해 투영하도록 구성되고 세정 타겟을 포함하는 하전 입자 광학 시스템; 및 세정 디바이스를 포함한다. 세정 디바이스는 세정 흐름이 세정 타겟의 빔 하류로부터 세정 타겟에 접근하도록 세정 타겟을 향하는 세정 흐름으로 세정 타겟에 입사되는 세정 매질을 공급하고, 세정 타겟에서 또는 근처에서 세정 매질을 자극하여 세정 매질이 세정 타겟의 표면의...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Main Authors HEMPENIUS PETER PAUL, SLOT ERWIN, BOSCH NIELS JOHANNES MARIA, WIELAND MARCO JAN JACO
Format Patent
LanguageKorean
Published 25.06.2024
Subjects
Online AccessGet full text

Cover

Loading…
More Information
Summary:본 발명은 샘플을 향해 하전 입자 빔을 투영하는 하전 입자 평가 시스템을 제공한다. 상기 시스템은 샘플을 유지하도록 구성되는 샘플 홀더; 하전 입자 소스로부터의 하전 입자 빔을 빔 하류로 샘플을 향해 투영하도록 구성되고 세정 타겟을 포함하는 하전 입자 광학 시스템; 및 세정 디바이스를 포함한다. 세정 디바이스는 세정 흐름이 세정 타겟의 빔 하류로부터 세정 타겟에 접근하도록 세정 타겟을 향하는 세정 흐름으로 세정 타겟에 입사되는 세정 매질을 공급하고, 세정 타겟에서 또는 근처에서 세정 매질을 자극하여 세정 매질이 세정 타겟의 표면의 적어도 일부를 세정하도록 구성된다. The embodiments of the present disclosure provide a charged particle assessment system for projecting a beam of charged particles towards a sample. The system comprises a sample holder configured to hold a sample; a charged particle optical system configured to project a beam of charged particles from a charged particle source downbeam towards the sample and comprising a cleaning target; and a cleaning device. The cleaning device is configured to supply cleaning medium in a cleaning flow towards the cleaning target incident on the cleaning target so that the cleaning flow approaches the cleaning target from downbeam of the cleaning target, and to stimulate the cleaning medium at or near the cleaning target such that the cleaning medium cleans at least a portion of the surface of the cleaning target.
Bibliography:Application Number: KR20247015630