METHOD OF PROCESSING TARGET OBJECT

• Main Authors: HISAMATSU TORU, TABATA MASAHIRO, KIHARA YOSHIHIDE
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 25.06.2024
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

피처리체에 영역 선택적으로 제어성 좋게 성막하는 기술을 제공한다. 일실시 형태에 따른 방법은, 피처리체가 수용된 처리 용기 내에 있어서 제 1 가스의 플라즈마를 생성하여 피처리체의 개구를 통하여 피처리체의 피에칭층을 이방적으로 에칭하는 공정을 구비하고, 이 공정 후에 있어서 또한, 처리 용기 내에 제 2 가스를 공급하는 제 1 공정과 처리 용기 내의 공간을 퍼지하는 제 2 공정과 처리 용기 내에 있어서 산소 원자를 포함하는 제 3 가스의 플라즈마를 생성하는 제 3 공정과 처리 용기 내의 공간을 퍼지하는 제 4 공정을 포함하는 시퀀스를 반복 실행하여 개구의 내측의 표면에 막을 형성하는 공정을 구비하며, 제 1 가스는 탄소 원자 및 불소 원자를 포함하고, 제 2 가스는 아미노 실란계 가스를 포함하며, 피에칭층은 실리콘을 함유하는 친수성의 절연층이며, 제 1 공정은 제 1 가스의 플라즈마를 생성하지 않는다. A method includes anisotropically etching an etching target layer of a target object through an opening of the target object by generating plasma of a first gas within a processing vessel in which the target object is accommodated; and then forming a film on an inner surface of the opening by repeating a sequence comprising: a first process of supplying a second gas into the processing vessel; a second process of purging a space within the processing vessel; a third process of generating plasma of a third gas containing an oxygen atom within the processing vessel; and a fourth process of purging the space within the processing vessel. The first gas contains a carbon atom and a fluorine atom. The second gas contains an aminosilane-based gas. The etching target layer is a hydrophilic insulating layer containing silicon. Plasma of the first gas is not generated in the first process.