반도체 프로세싱을 위한 밸브 매니폴드

• Main Authors: BHIMARASETTI GOPINATH, MILLER AARON BLAKE
• Format: Patent
• Language: Korean
• Published: 24.06.2024
• Subjects: CHEMICAL SURFACE TREATMENT; CHEMISTRY; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; COATING METALLIC MATERIAL; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL; METALLURGY; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION

반도체 프로세싱 툴에서 사용하기 위한 밸브 매니폴드는 매니폴드 바디, 퍼지 가스 유입구, 프로세스 가스 유입구, 매니폴드 유출구, 전환 유출구, 제 1 밸브 인터페이스, 제 2 밸브 인터페이스, 및 제 3 밸브 인터페이스를 포함한다. 제 1 밸브 인터페이스 및 제 3 밸브 인터페이스 각각은 제 1 포트 및 제 2 포트를 포함한다. 제 2 밸브 인터페이스는 제 1 포트, 제 2 포트, 제 3 포트 및 제 4 포트를 포함한다. A valve manifold for use in a semiconductor processing tool comprises a manifold body, a purge gas inlet, a process gas inlet, a manifold outlet, a divert outlet, a first valve interface, a second valve interface, and a third valve interface. The first valve interface and the third valve interface each includes a first port, and a second port. The second valve interface includes a first port, a second port, a third port, and a fourth port.