금속 산화물 배리어를 갖는 접합 패드를 포함하는 접합된 조립체 및 이를 형성하기 위한 방법

• Main Authors: HOU LIN, ISHIKAWA KENSUKE, CHEN LINGHAN, TOTANI SHINGO, AMANO FUMITAKA
• Format: Patent
• Language: Korean
• Published: 24.06.2024
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

접합된 조립체는 제1 반도체 디바이스 및 제1 실리콘 산화물 층 내에 매립된 제1 접합 패드를 포함하는 제1 반도체 다이로서, 제1 접합 패드는 제1 구리 함유 부분을 포함하는, 제1 반도체 다이, 제2 반도체 디바이스 및 제2 실리콘 산화물 층 내에 매립되고 금속-대-금속 접합을 통해 제1 접합 패드에 접합되는 제2 접합 패드를 포함하는 제2 반도체 다이로서, 제2 접합 패드는 제2 구리 함유 부분을 포함하는, 제2 반도체 다이, 및 제1 접합 패드와 제2 실리콘 산화물 층 사이에 개재된 적어도 하나의 금속 실리콘 산화물 층을 포함한다. 일 구현예에서, 적어도 하나의 금속 실리콘 산화물 층은 망간 실리콘 산화물 층이다. A bonded assembly includes a first semiconductor die containing first semiconductor devices and a first bonding pad embedded within a first silicon oxide layer, where the first bonding pad includes a first copper containing portion, a second semiconductor die containing second semiconductor devices and a second bonding pad that is embedded within a second silicon oxide layer and is bonded to the first bonding pad via metal-to-metal bonding, where the second bonding pad includes a second copper containing portion, and at least one metal silicon oxide layer interposed between the first bonding pad and the second silicon oxide layer. In one embodiment, at least one metal silicon oxide layer is a manganese silicon oxide layer.