플라즈마 에칭의 인 시츄 디클로깅 (declogging)

• Main Authors: SUBRAMANIAN PRIYADARSINI, KAWAGUCHI MARK NAOSHI, LIU WENCHI, TAN ZHONGKUI, MA QIANG, ZHU JI, SU XIAOFENG, KAMARTHY GOWRI CHANNA
• Format: Patent
• Language: Korean
• Published: 21.06.2024
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

반도체 프로세싱에서, 수직 고 종횡비 리세스된 피처들을 형성하기 위한 재료들 (예를 들어, 탄소 또는 실리콘) 의 플라즈마 에칭은 마스크-유도된 클로깅 재료 (예를 들어, 실리콘 옥사이드) 의 원치 않은 증착으로 인해 리세스된 피처들 내부의 클로깅을 야기할 수 있다. 이는 바람직하게 기판을 할로겐 소스 및 유기 용매 및/또는 물의 증기와 콘택트시킴으로써 동일한 프로세스 챔버 내에서 클로깅 (clogging) 재료를 에칭하는 것을 포함하는, 디클로깅 (declogging) 에 의해 해결된다. 아민, 헤테로사이클릭 화합물, 또는 바이플루오라이드 소스와 같은 첨가제가 클로깅 재료에 대한 에칭 선택도를 증가시키도록 첨가될 수 있다. 디클로깅 단계 후, 플라즈마 에칭이 더 진행된다. 디클로깅 단계 및 플라즈마 에칭 단계는 목표된 깊이의 리세스된 피처를 에칭하기 위해 필요한 수만큼 반복될 수 있다. In semiconductor processing, plasma etching of materials (e.g., of carbon or silicon) to form vertical high aspect ratio recessed features can lead to clogging inside the recessed features due to unwanted deposition of a mask-derived clogging material (e.g., silicon oxide). This is addressed by declogging, which includes etching the clogging material preferably in the same process chamber by contacting the substrate with a halogen source and a vapor of an organic solvent and/or water. An additive, such as an amine, a heterocyclic compound, or a bifluoride source can be added to increase etch selectivity for the clogging material. After the declogging step, plasma etching proceeds further. The declogging and plasma etching steps can be repeated as many times as needed to etch a recessed feature of desired depth.