접촉 구조체를 포함하는 마이크로전자 디바이스, 그리고 관련 메모리 디바이스, 전자 시스템 및 방법

• Main Author: SIMSEK EGE FATMA ARZUM
• Format: Patent
• Language: Korean
• Published: 20.06.2024
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; INFORMATION STORAGE; PHYSICS; SEMICONDUCTOR DEVICES; STATIC STORES

마이크로전자 디바이스는 제1 마이크로전자 디바이스 구조체와, 제1 마이크로전자 디바이스 구조체에 부착된 제2 마이크로전자 디바이스 구조체를 포함한다. 제1 마이크로전자 디바이스 구조체는 액세스 디바이스 및 저장 노드 디바이스를 포함하는 메모리 셀을 포함하는 메모리 어레이, 액세스 디바이스에 연결되고 디지트 라인 출구 영역까지 제1 방향으로 연장되는 디지트 라인 및 액세스 디바이스에 연결되고 워드 라인 출구 영역까지 제2 방향으로 연장되는 워드 라인을 포함한다. 제2 마이크로전자 디바이스 구조체는 메모리 셀 위에서 메모리 셀과 전기 통신하는 제어 논리 디바이스를 포함한다. 마이크로전자 디바이스는 디지트 라인 출구 영역에서 디지트 라인과 개별적으로 접촉하고 제어 논리 디바이스 중 적어도 일부와 전기 통신하는 접촉 구조체를 더 포함하고, 접촉 구조체 중 적어도 하나는 제1 마이크로전자 디바이스 구조체와 제2 마이크로전자 디바이스 구조체의 경계면에 있는 제1 단면적, 및 디지트 라인 중 하나에서의 경계면에 있는 제2 단면적을 포함하고, 제2 단면적은 제1 단면적보다 작다. 관련된 마이크로전자 디바이스, 메모리 디바이스, 전자 시스템 및 방법이 또한 설명된다. A microelectronic device comprises a first microelectronic device structure and a second microelectronic device structure attached to the first microelectronic device structure. The first microelectronic device structure comprises memory arrays comprising memory cells comprising access devices and storage node devices, digit lines coupled to the access devices and extending in a first direction to a digit line exit region, and word lines coupled to the access devices and extending in a second direction to a word line exit region. The second microelectronic device structure comprises control logic devices over and in electrical communication with the memory cells. The microelectronic device further comprises contact structures individually in contact with the digit lines in the digit line exit region and in electrical communication with at least some of the control logic devices, at least one of the contact structures comprising a first cross-sectional area at an interface of the first microelectronic device structure and the second microelectronic device structure, and a second cross-sectional area at an interface of one of digit lines, the second cross-sectional area smaller than the first cross-sectional area. Related microelectronic devices, memory devices, electronic systems, and methods are also described.