SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND METHOD

• Main Authors: OH DONG SUB, KHEEL HYE JOON, NOH MYOUNG SUB, LEE SEONG GIL, PARK WAN JAE
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 20.06.2024
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

기판 처리 장치는, 플라즈마 공간; 처리 공간; 상기 플라즈마 공간으로 제1 소스 가스를 공급하는 제1 가스 공급부; 및 상기 처리 공간으로 제2 공정 가스를 공급하는 제2 가스 공급부를 포함하고, 상기 제1 소스 가스는 상기 처리 공간에서 제1 식각 대상막을 식각하는 제1 공정 가스를 공급하고, 상기 제2 공정 가스는 상기 처리 공간에서 제2 식각 대상막을 식각하고, 상기 제1 가스 공급부 및 상기 제2 가스 공급부는 분리된 것을 특징으로 한다. A substrate processing apparatus includes a plasma space, a processing space, a first gas supplier configured to supply first source gas to the plasma space, and a second gas supplier configured to supply second process gas to the processing space. The first source gas supplies first process gas for etching a first etch target layer in the processing space. The second process gas etches a second etch target layer in the processing space. The first gas supplier and the second gas supplier are separated from each other.