SEMICONDUCTOR DEVICES
반도체 장치는, 기판 상에 형성된 액티브 패턴; 상기 액티브 패턴 상부에 매립된 게이트 구조물; 상기 액티브 패턴 상에 형성되는 비트 라인 구조물; 상기 비트 라인 구조물의 하부 측벽에 형성된 하부 스페이서 구조물; 상기 하부 스페이서 구조물 상에 형성되며, 상기 비트 라인 구조물의 상부 측벽에 접촉하는 상부 스페이서 구조물; 상기 비트 라인 구조물에 인접한 상기 액티브 패턴 상에 형성된 콘택 플러그 구조물; 및 상기 콘택 플러그 구조물 상에 형성된 커패시터를 포함하며, 상기 하부 스페이서 구조물은 상기 비트 라인 구조물의 하부 측...
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Format | Patent |
Language | English Korean |
Published |
11.06.2024
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