SEMICONDUCTOR DEVICE DISPLAY APPARATUS AND DRIVING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

• Main Authors: KAWASHIMA SUSUMU, SHISHIDO HIDEAKI, KUSUNOKI KOJI, ATSUMI TOMOAKI, SAITO MOTOHARU
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 10.06.2024
• Subjects: ADVERTISING; ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICESUSING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION; BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; EDUCATION; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; PHYSICS; SEALS; SEMICONDUCTOR DEVICES

본 발명은 신규 반도체 장치를 제공한다. 제 2 트랜지스터의 게이트는 제 1 트랜지스터의 소스 및 드레인 중 한쪽과, 제 3 트랜지스터의 소스 및 드레인 중 한쪽에 전기적으로 접속되고, 제 2 트랜지스터의 백 게이트는 제 4 트랜지스터의 소스 및 드레인 중 한쪽과, 제 1 용량 소자의 한쪽 단자에 전기적으로 접속되고, 제 2 트랜지스터의 소스 및 드레인 중 한쪽은 제 3 트랜지스터의 소스 및 드레인 중 다른 쪽과, 제 1 용량 소자의 다른 쪽 단자와, 발광 소자의 한쪽 단자에 전기적으로 접속되고, 제 1 트랜지스터와, 제 3 트랜지스터와, 제 4 트랜지스터가 가지는 반도체층의 일부는 각각 절연층에 형성된 개구 내에 제공된다 A novel semiconductor device is provided. A gate of a second transistor is electrically connected to one of a source and a drain of a first transistor and one of a source and a drain of a third transistor. Aback gate of the second transistor is electrically connected to one of a source and a drain of a fourth transistor and one terminal of a first capacitor. One of a source and a drain of the second transistor is electrically connected to the other of the source and the drain of the third transistor, the other terminal of the first capacitor, and one terminal of a light-emitting element. A semiconductor layer in each of the first, third, and fourth transistors is partly in an opening formed in an insulating layer.