SBD SCHOTTKY BARRIER DIODE SBD LEAKAGE CURRENT BLOCKING STRUCTURE

실시예들은 쇼트키 배리어 다이오드(Schottky barrier diode, SBD) 구조물 및 이를 형성하는 방법을 포함하며, SBD 구조물은 SBD 구조물의 애노드 영역을 둘러싸는 얕은 트렌치 격리 영역과의 계면에서 전류가 누설되지 못하게 하는 전류 차단 피처를 포함한다. Embodiments include a Schottky barrier diode (SBD) structure and method of forming the same, the SBD structure including a current blockage featu...

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Main Authors WU CHENG HSIEN, TSENG CHIEN LIN, LIN SHENG YU, TU YU FA, HUNG WEI CHUN, TAN YUNG FANG, CHANG TING CHANG
Format Patent
LanguageEnglish
Korean
Published 07.06.2024
Subjects
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
ELECTRICITY
SEMICONDUCTOR DEVICES
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Summary:실시예들은 쇼트키 배리어 다이오드(Schottky barrier diode, SBD) 구조물 및 이를 형성하는 방법을 포함하며, SBD 구조물은 SBD 구조물의 애노드 영역을 둘러싸는 얕은 트렌치 격리 영역과의 계면에서 전류가 누설되지 못하게 하는 전류 차단 피처를 포함한다. Embodiments include a Schottky barrier diode (SBD) structure and method of forming the same, the SBD structure including a current blockage feature to inhibit current from leaking at an interface with a shallow trench isolation regions surrounding an anode region of the SBD structure.
Bibliography:Application Number: KR20230167838