LARGE DIAMETER SINGLE CRYSTAL AND METHOD OF MANUFACTURING FOR GROWING LARGE DIAMETER SINGLE CRYSTAL

본 발명은 대구경 탄화규소 단결정 성장 방법에 관한 것으로, 도가니 내부에 원료 물질을 장입하는 단계, 종자정이 부착된 종자정 홀더를 도가니 내부에 장착하는 종자정 홀더 장착 단계, 도가니를 가열하여 도가니에 포함된 불순물을 제어하는 고순화 처리 단계, 상기 도가니의 적어도 일부 영역에 배치된 단열재를 열처리하는 단계, 및 가열수단을 이용하여 도가니를 가열하여 단결정을 성장시키는 단계를 포함할 수 있다....

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Main Authors YEO IM GYU, LEE JAE YOON
Format Patent
LanguageEnglish
Korean
Published 07.06.2024
Subjects
AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUSPOLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE
APPARATUS THEREFOR
CHEMISTRY
CRYSTAL GROWTH
METALLURGY
PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE
REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL
SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE
SINGLE-CRYSTAL-GROWTH
UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL ORUNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL
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Summary:본 발명은 대구경 탄화규소 단결정 성장 방법에 관한 것으로, 도가니 내부에 원료 물질을 장입하는 단계, 종자정이 부착된 종자정 홀더를 도가니 내부에 장착하는 종자정 홀더 장착 단계, 도가니를 가열하여 도가니에 포함된 불순물을 제어하는 고순화 처리 단계, 상기 도가니의 적어도 일부 영역에 배치된 단열재를 열처리하는 단계, 및 가열수단을 이용하여 도가니를 가열하여 단결정을 성장시키는 단계를 포함할 수 있다.
Bibliography:Application Number: KR20220164762