EPITAXY DIE AND CHIP DIE FOR SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICES AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

• Main Authors: HAN YOUNG HUN, MOON JI HYUNG, YUN HYEONG SEON, SONG JUNEO
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 05.06.2024
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

본 발명은 반도체 발광 소자용 에피택시 다이에 관한 것으로, 지지기판; 상기 지지기판 위에 형성되는 접합층; 상기 접합층 위에 형성되는 에피택시 보호층; 상기 에피택시 보호층 위에 형성되는 제1 오믹전극; 및 상기 제1 오믹전극 위에 형성되어 광을 생성하는 발광부를 포함하고, 상기 발광부는, 제1 도전성을 가지는 제1 반도체 영역과, 상기 제1 반도체 영역 위에 형성되며 전자와 정공의 재결합을 이용하여 광을 생성하는 활성 영역과, 상기 활성 영역 위에 형성되며 제2 도전성을 가지는 제2 반도체 영역을 포함한다. 본 발명에 따르면, 미니 LED 제조 공정의 장점, 즉 불량 분류가 용이하며, 기존의 범용화된 전사 장비를 그대로 이용할 수 있으므로 공정비용 및 설비투자비가 저렴한 장점과, 마이크로 LED 제조 공정의 장점, 즉 최종 지지기판 사파이어 제거가 가능하므로 획기적인 두께 감소 및 칩 다이 사이즈의 축소가 용이하여 광출력이 개선될 수 있는 장점을 동시에 충족시킬 수 있다. The present invention relates to an epitaxial die and a chip die for a semiconductor light-emitting device, and a manufacturing method thereof, wherein only one of two electrodes is exposed to the outside, and a process of forming a positive ohmic contact electrode (p-ohmic contact electrode) or a negative ohmic contact electrode (n-ohmic contact electrode) is completed in an epitaxial die manufacturing step so as to achieve dramatic thickness reduction and easy reduction of the chip die size, thereby improving the light output.