Method of atomic layer etching

• Main Authors: JANG YUN JONG, KWON HAE IN, GIL HONG SEONG, YEOM GEUN YOUNG, KIM DOO SAN, KIM YE EUN, JUNG JI WON, CHUNG CHIN WOOK, PARK JUN YOUNG
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 05.06.2024
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

본 발명 개념의 일부 실시예들에 따른 원자층 식각 방법은 프로세스 챔버에 기판을 제공하는 것, 상기 프로세스 챔버는 제1 챔버부 및 제2 챔버부를 포함하고, 상기 기판은 제2 챔버부에 제공되고; 상기 제1 챔버부에서 흡착 가스 플라즈마를 생성하는 것; 상기 흡착 가스 플라즈마의 라디칼을 상기 기판에 흡착시켜 처리층을 형성하는 것; 상기 제1 챔버부에서 에칭 가스 플라즈마를 생성하는 것; 및 상기 에칭 가스 플라즈마의 전자 및 이온을 교번하여 상기 처리층에 입사시키고, 상기 처리층을 탈착시키는 것을 포함한다. Provided is a method for etching an atomic layer. The method for etching the atomic layer includes providing a substrate to a process chamber, wherein the process chamber comprises a first chamber part and a second chamber part, and the substrate is provided in the second chamber part, generating adsorption gas plasma in the first chamber part, adsorbing radicals of the adsorption gas plasma to the substrate so as to form a treatment layer, generating etching gas plasma in the first chamber part, and allowing electrons and ions of the etching gas plasma to be alternately incident into the treatment layer so as to perform desorption of the treatment layer.