Pellicle for EUVextreme ultraviolet Lithography

본 발명은 극자외선 리소그라피용 펠리클에 관한 것이다. 본 발명은, 윈도우 영역이 개방된 기판과, 상기 기판 위에 형성된 펠리클 막을 포함하며, 상기 펠리클 막은 조성이 동일하며, 밀도가 서로 다른 복수의 층들을 포함하며, 상기 복수의 층들은 상기 펠리클 막의 중심에서 먼 층일수록 밀도가 높은 극자외선 리소그라피용 펠리클을 제공한다. 본 발명에 따른 극자외선 리소그라피용 펠리클은 극자외선의 투과율을 유지하면서 내화학성과 내수소성도 향상된다는 장점이 있다....

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Bibliographic Details
Main Authors PARK JIN SU, SEO KYOUNG WON, PARK JUN WOO, PARK SEONG HWAN, IM GYUNG CHEOL, YUN WOO HYUN, YU LAN, YANG SEONG JU, KIM KYOUNG SOO, KANG HONG GU, KIM CHEONG, LEE SO YOON, CHOI JAE HYUCK, CHO SANG JIN, YOO JUN SEONG, KIM YONG SU, HONG SEONG GYU, BAE JUNG JUN
Format Patent
LanguageEnglish
Korean
Published 04.06.2024
Subjects
APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
CINEMATOGRAPHY
ELECTROGRAPHY
HOLOGRAPHY
MATERIALS THEREFOR
ORIGINALS THEREFOR
PHOTOGRAPHY
PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES
PHYSICS
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Summary:본 발명은 극자외선 리소그라피용 펠리클에 관한 것이다. 본 발명은, 윈도우 영역이 개방된 기판과, 상기 기판 위에 형성된 펠리클 막을 포함하며, 상기 펠리클 막은 조성이 동일하며, 밀도가 서로 다른 복수의 층들을 포함하며, 상기 복수의 층들은 상기 펠리클 막의 중심에서 먼 층일수록 밀도가 높은 극자외선 리소그라피용 펠리클을 제공한다. 본 발명에 따른 극자외선 리소그라피용 펠리클은 극자외선의 투과율을 유지하면서 내화학성과 내수소성도 향상된다는 장점이 있다.
Bibliography:Application Number: KR20220161327