MEMORY DEVICE INCLUDING ERROR CORRECTION DEVICE

• Main Authors: YOON SANG WOO, RIM A RAM, KIM DAE SUK, JEONG JIN HO, JANG MUN SEON
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 03.06.2024
• Subjects: CALCULATING; COMPUTING; COUNTING; ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING; INFORMATION STORAGE; PHYSICS; STATIC STORES

제안 발명의 메모리 장치는, 다수의 노멀 셀 블록들, 적어도 하나의 에러 정정 코드(ECC) 셀 블록 및 적어도 하나의 리던던시 셀 블록으로 구분되는 다수의 셀 블록들을 포함하여 데이터 및 에러 정정 코드를 출력하는 메모리 셀 영역; 상기 에러 정정 코드를 이용하여 상기 데이터의 에러를 정정하여 에러 정정된 데이터를 생성하는 에러 정정 회로; 제 1 리페어 정보에 따라 상기 에러 정정된 데이터를 쉬프팅하는 제 1 스위치 그룹; 및 제 2 리페어 정보에 따라 상기 셀 블록들 중 하나의 셀 블록으로부터 독출되는 데이터를 제로-패딩하여 상기 에러 정정 회로로 제공하는 제 2 스위치 그룹을 포함할 수 있다. A memory device includes a memory cell area including a plurality of cell blocks divided into a plurality of normal cell blocks, at least one ECC cell block, and at least one redundancy cell block, the plurality of cell blocks being configured to output data and error correction codes; an error correction circuit configured to generate error-corrected data by correcting errors in the data using the error correction codes; a first switch group configured to output the error-corrected data while performing, according to first repair control information, a shifting operation on the error-corrected data; and a second switch group configured to transfer the data from the memory cell area to the error correction circuit while performing, according to second repair control information, a zero-padding operation on the data output from one of the cell blocks.