SEMICONDUCTOR DEVICE

• Main Authors: YOO HYUMIN, KIM YOUNGGWON, KANG MYUNG GIL, PARK BEOMJIN, KIM DONGWON
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 31.05.2024
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

본 발명은 반도체 소자에 관한 것으로, 더욱 상세하게는, 활성 패턴을 포함하는 기판; 상기 활성 패턴 상의 채널 패턴, 상기 채널 패턴은 서로 이격되어 수직적으로 적층된 복수개의 반도체 패턴들을 포함하고; 상기 복수개의 반도체 패턴들에 연결된 소스/드레인 패턴, 상기 소스/드레인 패턴은 피형(P-type)을 갖고; 상기 복수개의 반도체 패턴들 상의 게이트 전극, 상기 게이트 전극은 상기 복수개의 반도체 패턴들 중 서로 인접하는 반도체 패턴들 사이에 개재된 내측 전극들 및 최상부의 반도체 패턴 상의 외측 전극을 포함하고; 및 상기 복수개의 반도체 패턴들과 상기 게이트 전극 사이의 게이트 절연막, 상기 게이트 절연막은 상기 내측 전극에 인접한 내측 게이트 절연막 및 상기 외측 전극의 하면으로부터 상기 외측 전극의 측면까지 연장되는 외측 게이트 절연막을 포함하되, 상기 외측 전극 및 상기 외측 게이트 절연막은 반전된 T자 형상(inverted-T shape)일 수 있다. Disclosed is a semiconductor device comprising a substrate including an active pattern, a channel pattern on the active pattern and including semiconductor patterns spaced apart from and vertically stacked on each other, a source/drain pattern connected to the semiconductor patterns having a p-type, a gate electrode on the semiconductor patterns and including inner electrodes between neighboring semiconductor patterns and an outer electrode on an uppermost semiconductor pattern, and a gate dielectric layer between the gate electrode and the semiconductor patterns and including an inner gate dielectric layer adjacent to the inner electrode and an outer gate dielectric layer that extends from bottom to lateral surfaces of the outer electrode. The outer electrode and the outer gate dielectric layer have an inverted T shape.