DISPLAY DEVICE

• Main Authors: SUNG BUM MO, SHIN JI YEONG, SEOL CHAN YEOB, KWAK HYE NA, KIM KEUN WOO
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 28.05.2024
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

표시 장치가 제공된다. 표시 장치는 기판 상에 배치된 발광 소자, 상기 발광 소자에 흐르는 구동 전류를 제어하는 제1 트랜지스터, 상기 제1 트랜지스터의 소스 전극에 데이터 전압을 공급하는 제2 트랜지스터, 상기 제1 트랜지스터의 게이트 전극 및 상기 제1 트랜지스터의 드레인 전극 사이에 직렬로 연결된 제3-1 트랜지스터 및 제3-2 트랜지스터, 상기 기판 상에 배치되어 상기 제3-1 트랜지스터의 게이트 전극 및 상기 제3-2 트랜지스터의 게이트 전극을 포함하는 제1 금속층, 상기 제1 금속층 상에 배치된 수소 패시베이션층, 상기 수소 패시베이션층 상에 배치된 상기 제1 트랜지스터, 상기 제3-1 트랜지스터, 및 상기 제3-2 트랜지스터 각각의 반도체 영역, 상기 제1 트랜지스터의 반도체 영역 상에 배치된 캡핑층, 상기 캡핑층 상에 배치된 상기 제1 트랜지스터의 게이트 전극, 상기 제1 트랜지스터의 게이트 전극과 동일 층에 배치되어 상기 제3-1 트랜지스터의 반도체 영역과 중첩하는 제1 바이어스 전극, 및 상기 제1 바이어스 전극과 동일 층에 배치되어 상기 제3-2 트랜지스터의 반도체 영역과 중첩하는 제2 바이어스 전극을 포함한다. A display device includes: a light emitting element on a substrate; a third-first transistor and a third-second transistor connected in series between a gate electrode of the first transistor and a drain electrode of the first transistor; a first metal layer on the substrate and comprising a gate electrode of the third-first transistor and a gate electrode of the third-second transistor; a hydrogen passivation layer on the first metal layer; a semiconductor region of each of a first transistor, the third-first transistor, and the third-second transistor on the hydrogen passivation layer; a gate electrode on the capping layer; a first bias electrode on a same layer as the gate electrode of the first transistor and overlapping the semiconductor region of the third-first transistor; and a second bias electrode on a same layer as the first bias electrode and overlapping the semiconductor region of the third-second transistor.