플라스마 처리 장치

• Main Authors: KAZAMA KOICHI, HIDAKA KOKI, SHIHOMMATSU MIYU, KATO TAKEHIRO, SATO TAKANORI
• Format: Patent
• Language: Korean
• Published: 24.05.2024
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

플라스마 처리 챔버와, 기판 지지부와, 하부 전극과, RF 전원과, 상부 전극 어셈블리를 구비하고, 상기 상부 전극 어셈블리는, 가스 확산 플레이트와, 절연 플레이트와, 상기 가스 확산 플레이트와 상기 절연 플레이트 사이에 배치되고, 복수의 제1 관통 구멍과, 복수의 제2 관통 구멍을 갖는 상부 전극 플레이트를 구비하고, 상기 절연 플레이트는, 그 하면으로부터 하방으로 돌출되는 내측 환상 볼록부 및 외측 환상 볼록부를 갖고, 상기 절연 플레이트는, 복수의 제1 가스 도입 구멍과, 복수의 제2 가스 도입 구멍과, 복수의 제3 가스 도입 구멍을 갖는 플라스마 처리 장치. A plasma processing apparatus includes a plasma processing chamber; a substrate support; a lower electrode; an RF power supply; and an upper electrode assembly. The upper electrode assembly includes a gas diffusion plate; an insulating plate; and an upper electrode plate arranged between the gas diffusion plate and the insulating plate, and having a plurality of first through holes and a plurality of second through holes. The insulating plate includes an inner annular protrusion and an outer annular protrusion protruding downward from a lower surface of the insulating plate, and the insulating plate has a plurality of first gas introduction holes, a plurality of second gas introduction holes, and a plurality of third gas introduction holes.