ATOMIC LAYER ETCHING OF TUNGSTEN FOR ENHANCED TUNGSTEN DEPOSITION FILL

• Main Authors: CHANDRASHEKAR ANAND, KANARIK KEREN JACOBS, WOOD MICHAEL, YANG WENBING, LAI CHIUKIN STEVEN, TAN SAMANTHA, SU TEH TIEN, DANEK MICHAL
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 20.05.2024
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

기판 상의 피처들을 충진하는 방법이 제공된다. 상기 방법은, (a) 제 1 양의 금속을 상기 피처 내로 증착하는 단계; 및 (b) 상기 피처의 내부 구역에 대한 상기 피처의 개구에서 또는 상기 개구 근방에서, (i) 상기 금속을 할로겐-함유 가스에 노출하여 상기 증착된 금속의 상기 표면을 개질함으로써; 그리고 (ii) 선택적으로 상기 금속을 에칭하도록 상기 개질된 표면을 활성화 가스에 노출시킴으로써, 상기 금속을 지향성으로 (directionally) 에칭하는 단계를 포함할 수 있다. Methods of depositing tungsten into high aspect ratio features using a dep-etch-dep process integrating various deposition techniques with alternating pulses of surface modification and removal during etch are provided herein.