The reliability measuring apparatus and method for flash memory material by measuring current

플래시 메모리 소자의 터널 절연막을 경유하는 FN(Fowler-Nordheim) 터널링에 의해 ONOA(Oxide-Nitride-Oxide-Alumina) 경로를 흐르는 ONOA 전류를 측정하여, 플래시 메모리 소자 제조 공정 중의 자재의 신뢰성을 예측하고, 자재에 대한 스크리닝(screening) 또는 그레이딩(grading)을 포함하는 자재 관리를 용이하게 수행할 있도록 하는 전류 측정을 통한 플래시 메모리 자재 신뢰성 측정 장치 및 그 방법을 제공을 제공한다. A reliability measuring apparatus inc...

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Main Authors NAM CHEOL JEON, TAE UN YOUN, HEA JONG YANG
Format Patent
LanguageEnglish
Korean
Published 20.05.2024
Subjects
MEASURING
MEASURING ELECTRIC VARIABLES
MEASURING MAGNETIC VARIABLES
PHYSICS
TESTING
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Summary:플래시 메모리 소자의 터널 절연막을 경유하는 FN(Fowler-Nordheim) 터널링에 의해 ONOA(Oxide-Nitride-Oxide-Alumina) 경로를 흐르는 ONOA 전류를 측정하여, 플래시 메모리 소자 제조 공정 중의 자재의 신뢰성을 예측하고, 자재에 대한 스크리닝(screening) 또는 그레이딩(grading)을 포함하는 자재 관리를 용이하게 수행할 있도록 하는 전류 측정을 통한 플래시 메모리 자재 신뢰성 측정 장치 및 그 방법을 제공을 제공한다. A reliability measuring apparatus includes an oxide-nitride-oxide-alumina (ONOA) current measuring circuit configured to measure an ONOA current by applying an ONOA current measuring voltage to a selected word line coupled to a selected memory cell in a flash memory and a reliability indicator generator configured to a reliability indicator using the ONOA current measured through the measuring circuit.
Bibliography:Application Number: KR20220150415