촬상 소자, 촬상 장치, 제조 방법

• Main Authors: FUJII NOBUTOSHI, SAITO SUGURU, FUKATANI TAKASHI
• Format: Patent
• Language: Korean
• Published: 17.05.2024
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

본 기술은, 촬상 소자의 미세화를 가능하게 하고, 제조 시에 화소 간 분리부에 충전물을 매립할 때의 매립 불량이 발생하지 않는 구성으로 할 수 있도록 하는 촬상 소자, 촬상 장치, 제조 방법에 관한 것이다. 기판과, 기판에 마련된 광전 변환 영역과, 인접하는 광전 변환 영역 간이며, 기판에 마련되어 있는 화소 간 분리부를 구비하고, 화소 간 분리부의 개구부는 경사면을 갖고, 경사면은 (111)면이다. 경사면은, 광 입사면측이며, 화소 간 분리부의 양단에 각각 마련되어 있다. 또는 경사면은, 광 입사면측이며, 화소 간 분리부의 일단에 마련되어 있다. 본 기술은, 예를 들어 촬상 소자에 적용할 수 있다. The present technology relates to an imaging element, an imaging device, and a manufacturing method that make it possible to miniaturize and configure the imaging element in such a manner as to prevent embedding failure from occurring when embedding a filler in an inter-pixel separation section during manufacture.The imaging element includes a substrate, a photoelectric conversion region, and an inter-pixel separation section. The photoelectric conversion region is disposed on the substrate. The inter-pixel separation section is disposed on the substrate and positioned between photoelectric conversion regions adjacent to each other. An opening in the inter-pixel separation section has an inclined surface formed by a (111) plane. The inclined surface is positioned toward a light-incident surface and provided on both ends of the inter-pixel separation section or is positioned toward the light-incident surface and provided on one end of the inter-pixel separation section. The present technology is applicable, for example, to imaging elements.