EUV EUV Device and method for measuring the phase shift amount of EUV light and the refractive coefficient of EUV specimens

• Main Authors: MOON SEUNG CHAN, CHOI JIN HYUK, AHN JINHO, LEE DONGGI
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 17.05.2024
• Subjects: APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR; CINEMATOGRAPHY; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY; INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIRCHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES; MATERIALS THEREFOR; MEASURING; ORIGINALS THEREFOR; PHOTOGRAPHY; PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES; PHYSICS; TESTING

EUV광의 위상 변위량 및 EUV용 시편의 굴절계수 측정 장치가 제공된다. 상기 EUV광의 위상 변위량 및 EUV용 시편의 굴절계수 측정 장치는, EUV 광을 생성하는 광원, 상기 광원으로부터 생성된 상기 EUV 광의 경로를 제어하는 미러, 상기 미러를 통해 경로가 제어된 상기 EUV 광이 조사되고, 조사된 상기 EUV 광을 반사 및 투과시키는 시편, 상기 시편의 하부에 배치되어, 상기 시편을 투과한 상기 EUV 광을 반사시키는 반사체, 및 상기 시편에서 반사된 상기 EUV 광 및 상기 반사체에서 반사된 후 상기 시편을 재투과한 상기 EUV 광을 수집하여, 상기 시편에서 반사된 상기 EUV 광 및 상기 반사체에서 반사된 후 상기 시편을 재투과한 상기 EUV 광이 형성하는 간섭무늬 패턴을 검출하는 검출기를 포함하되, 제1 두께를 갖는 상기 시편을 통해 검출되는 제1 간섭무늬 패턴과 제2 두께를 갖는 상기 시편을 통해 검출되는 제2 간섭무늬 패턴을 비교하여 상기 광원으로부터 생성된 상기 EUV 광이 상기 시편을 투과함에 따라 발생되는 위상 변위량을 산출하고 상기 위상 변위량을 이용하여 상기 시편의 굴절계수를 산출할 수 있다.