EUV Apparatus and method for EUV blank mask inspection

• Main Authors: MOON SEUNG CHAN, CHOI JIN HYUK, AHN JINHO, LEE DONGGI
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 17.05.2024
• Subjects: APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR; CINEMATOGRAPHY; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY; INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIRCHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES; MATERIALS THEREFOR; MEASURING; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS; MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEARDIMENSIONS; ORIGINALS THEREFOR; PHOTOGRAPHY; PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES; PHYSICS; TESTING

블랭크 마스크 검사 장치가 제공된다. 상기 블랭크 마스크 검사 장치는, EUV 광을 생성하는 광원, 상기 광원으로부터 생성된 상기 EUV 광의 경로를 제어하는 미러, 상기 미러를 통해 경로가 제어된 상기 EUV 광이 조사되고, 조사된 상기 EUV 광을 투과 및 반사시키는 옵티컬 플랫(Optical flat), 상기 옵티컬 플랫의 하부에 배치되어, 상기 옵티컬 플랫을 투과한 상기 EUV 광을 반사시키는 블랭크 마스크(Blank mask), 및 상기 EUV 광이 상기 옵티컬 플랫으로부터 반사된 제1 EUV 광과 상기 EUV 광이 상기 옵티컬 플랫을 투과한 후 상기 블랭크 마스크에서 반사되고 상기 옵티컬 플랫을 재투과한 제2 EUV 광을 수집하는 검출기를 포함하되, 상기 제1 EUV 광과 상기 제2 EUV 광이 생성하는 간섭무늬 패턴을 이용하여, 상기 블랭크 마스크의 진폭 결함(amplitude defect), 위상 결함(phase defect), 및 상기 블랭크 마스크의 상부면의 평탄도(flatness)를 검사할 수 있다.