Semiconductor device

반도체 장치가 제공된다. 반도체 장치는, 활성 영역을 포함하는 기판, 활성 영역과 연결되고, 기판 상에 배치되는 제1 랜딩 패드, 활성 영역과 연결되고, 제1 랜딩 패드와 이격되고, 기판 상에 배치되는 제2 랜딩 패드, 제1 랜딩 패드 상에 배치되고, 기판에 수직하는 방향으로 연장하는 제1 하부 전극, 제2 랜딩 패드 상에 배치되고, 기판에 수직하는 방향으로 연장하는 제2 하부 전극, 제1 하부 전극 및 제2 하부 전극을 따라 연장하는 유전막 및 유전막 상의 상부 전극을 포함하고, 기판의 하면을 기준으로, 제1 랜딩 패드의 제1 상...

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Main Authors KIM DONG WOOK, SUH MIN KYU, HONG JUNG PYO, LEE DO KEUN, LEE GEON YEOP, PARK SANG WUK, KIM YANG DOO
Format Patent
LanguageEnglish
Korean
Published 17.05.2024
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Summary:반도체 장치가 제공된다. 반도체 장치는, 활성 영역을 포함하는 기판, 활성 영역과 연결되고, 기판 상에 배치되는 제1 랜딩 패드, 활성 영역과 연결되고, 제1 랜딩 패드와 이격되고, 기판 상에 배치되는 제2 랜딩 패드, 제1 랜딩 패드 상에 배치되고, 기판에 수직하는 방향으로 연장하는 제1 하부 전극, 제2 랜딩 패드 상에 배치되고, 기판에 수직하는 방향으로 연장하는 제2 하부 전극, 제1 하부 전극 및 제2 하부 전극을 따라 연장하는 유전막 및 유전막 상의 상부 전극을 포함하고, 기판의 하면을 기준으로, 제1 랜딩 패드의 제1 상면은 제2 랜딩 패드의 제2 상면보다 아래에 배치된다. A semiconductor device includes: a substrate includes an active area; a first landing pad connected to the active area and disposed on the substrate; a second landing pad connected to the active area, and spaced apart from the first landing pad, wherein the second landing pad is disposed on the substrate; a first lower electrode disposed on the first landing pad and extending in a direction substantially perpendicular to the substrate; a second lower electrode disposed on the second landing pad and extending in the direction substantially perpendicular to the substrate; a dielectric layer extending along the first lower electrode and the second lower electrode; and an upper electrode disposed on the dielectric layer, wherein a first upper surface of the first landing pad is disposed below a second upper surface of the second landing pad with respect to a lower surface of the substrate.
Bibliography:Application Number: KR20220149299