광전 변환 소자 및 화합물

본 발명은, 정공 수송층이 우수한 광전 변환 특성을 나타내고, 또한 높은 내구성을 갖는 광전 변환 소자의 제공을 목적으로 한다. 상기 목적을 달성하기 위해서, 본 발명의 광전 변환 소자는, 제 1 전극 (12), 정공 수송층 (13), 광전 변환층 (14), 전자 수송층 (15), 및 제 2 전극 (16) 이, 상기 순서로 적층되고, 광전 변환층 (14) 은, 페로브스카이트 구조를 포함하고, 정공 수송층 (13) 은, 이온화 포텐셜이 -5.4 eV ∼ -5.7 eV 의 범위인 것을 특징으로 한다. A photoelectric con...

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Main Authors WAKAMIYA ATSUSHI, MIKI MASAKO, HORIUCHI TAMOTSU, TRUONG MINH ANH
Format Patent
LanguageKorean
Published 17.05.2024
Subjects
ELECTRICITY
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Summary:본 발명은, 정공 수송층이 우수한 광전 변환 특성을 나타내고, 또한 높은 내구성을 갖는 광전 변환 소자의 제공을 목적으로 한다. 상기 목적을 달성하기 위해서, 본 발명의 광전 변환 소자는, 제 1 전극 (12), 정공 수송층 (13), 광전 변환층 (14), 전자 수송층 (15), 및 제 2 전극 (16) 이, 상기 순서로 적층되고, 광전 변환층 (14) 은, 페로브스카이트 구조를 포함하고, 정공 수송층 (13) 은, 이온화 포텐셜이 -5.4 eV ∼ -5.7 eV 의 범위인 것을 특징으로 한다. A photoelectric conversion element includes a hole transport layer exhibiting excellent photoelectric conversion characteristics and having high durability. The photoelectric conversion element includes: a first electrode, a hole transport layer, a photoelectric conversion layer, an electron transport layer, and a second electrode. The first electrode, the hole transport layer, the photoelectric conversion layer, the electron transport layer, and the second electrode are laminated in this order. The photoelectric conversion layer has a perovskite structure, and the hole transport layer has an ionization potential in a range from -5.4 eV to -5.7 eV
Bibliography:Application Number: KR20247010109