개선된 전기적 속성들을 갖는 탄화규소로 만들어진 작업 층을 포함하는 반도체 구조체의 제조 프로세스

• Main Authors: DROUIN ALEXIS, ROUCHIER SEVERIN, GAUDIN GWELTAZ, ROLLAND EMMANUEL, WIDIEZ JULIE, SCHWARZENBACH WALTER
• Format: Patent
• Language: Korean
• Published: 16.05.2024
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

본 발명은 다음 단계들을 포함하는 반도체 구조체의 제조 프로세스에 관한 것이다: a) 단결정 탄화규소로 만들어진 도너 기판 및 탄화규소로 만들어진 캐리어 기판을 제공하는 단계, b) 전사될 작업 층을 준비하는 단계 - 단계 b)는, 러더포드 후방 산란 분광법에 의해 특히 측정될 수 있는 손상 프로파일을 형성하기 위해, 전면 상의 도너 기판에 경량 종을 주입하는 단계 - 상기 프로파일은 매립된 취성 평면을 정의하는 깊이 결함들의 주 피크 및 손상된 표면 층을 정의하는 결함들의 이차 피크를 가짐 -, 도너 기판의 새로운 전방 표면을 형성하기 위해, 도너 기판의 전면의 화학적 에칭 및/또는 화학적-기계적 연마에 의해 손상된 표면 층을 제거하는 단계를 포함하며, 매립된 취성 평면은, 도너 기판의 전방 표면과 함께, 50 nm 내지 1400 nm의 두께를 갖는 전사될 작업 층의 범위를 정함 -, c) 접합 계면을 따라 접합된 조립체를 형성하기 위해, 분자 접착에 의해 전방 표면의 면 상의 도너 기판과 캐리어 기판을 결합하는 단계; d) 반도체 구조체를 형성하기 위해, 매립된 취성 평면을 따라 분리하여, 작업 층을 캐리어 기판 상으로 전사하는 단계. A method for producing a semiconductor structure comprises: a) provision of a monocrystalline silicon carbide donor substrate and a silicon carbide support substrate; b) production of a useful layer to be transferred, comprising-implanting light species in the donor substrate at a front face, so as to form a damage profile, the profile having a main peak of deep-level defects defining a buried brittle plane and a secondary peak of defects defining a damaged surface layer, and-removing the damaged surface layer by chemical etching and/or chemical mechanical polishing of the front face of the donor substrate, so as to form a new front surface of the donor substrate; c) assembly of donor substrate with the support substrate; and d) separation along the buried fragile plane, leading to the transfer of the useful layer onto the support substrate, so as to form the semiconductor structure.