SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

• Main Authors: DONG CHA DEOK, YOSHINO KENICHI, AKIYAMA NAOKI, SHIMANO TAKUYA, SAWADA KAZUYA, JUNG BO KYUNG, CHOI KEO ROCK, KIM GUK CHEON
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 16.05.2024
• Subjects: ELECTRICITY

반도체 장치 및 그 제조 방법이 제공된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 장치는 선택 소자층 또는 가변 저항층 중 어느 하나, 및 상기 선택 소자층 또는 가변 저항층 중 어느 하나의 상부에 배치되는 중간 전극층을 포함하는 제1 패턴 및 상기 제1 패턴 상에 배치되고, 선택 소자층 또는 가변 저항층 중 상기 제1 패턴과 다른 하나를 포함하며, 상기 제1 패턴의 폭과 동일하거나, 또는 더 큰 폭을 갖는 제2 패턴을 포함할 수 있다. A semiconductor device may include a first pattern including any one of a selector layer or a variable resistance layer and a middle electrode layer disposed over any one of the selector layer or the variable resistance layer; and a second pattern disposed over the first pattern and including the other one of the selector layer or the variable resistance layer, wherein a width of the second pattern may be the same as or greater than a width of the first pattern.