A METHOD FOR TREATING A SUBSTRATE

본 발명은 기판을 처리하는 방법을 제공한다. 일 실시예에 의한 기판 처리 방법은, 기판에 액을 공급하는 액 공급 단계; 및 상기 액 공급 단계 이후 기판을 가열하는 가열 단계를 포함하되, 상기 액 공급 단계는, 기판에 제1액을 공급하는 제1액 공급 단계; 및 상기 제1액이 공급된 기판에 상기 제1액과 상이한 제2액을 공급하는 제2액 공급 단계를 포함하고, 상기 제2액 공급 단계를 수행하기 이전에, 기판에 테스트용 상기 제2액을 공급하고 공급된 상기 제2액과 기판 사이의 접촉각을 측정하여 기판의 친수화 정도를 판정하고, 판정된 기판의...

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Main Authors LEE SANG GUN, SUNG JIN YEONG, OH SEUNG UN, CHOI KI HOON, KIM TAE SHIN, YOON HYUN, LEE JANG JIN
Format Patent
LanguageEnglish
Korean
Published 14.05.2024
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Summary:본 발명은 기판을 처리하는 방법을 제공한다. 일 실시예에 의한 기판 처리 방법은, 기판에 액을 공급하는 액 공급 단계; 및 상기 액 공급 단계 이후 기판을 가열하는 가열 단계를 포함하되, 상기 액 공급 단계는, 기판에 제1액을 공급하는 제1액 공급 단계; 및 상기 제1액이 공급된 기판에 상기 제1액과 상이한 제2액을 공급하는 제2액 공급 단계를 포함하고, 상기 제2액 공급 단계를 수행하기 이전에, 기판에 테스트용 상기 제2액을 공급하고 공급된 상기 제2액과 기판 사이의 접촉각을 측정하여 기판의 친수화 정도를 판정하고, 판정된 기판의 친수화 정도에 근거하여 기판으로 공급되는 상기 제2액의 공급 메커니즘을 결정할 수 있다. The inventive concept provides a substrate treating method. The substrate treating method includes supplying a liquid to a substrate; and heating the substrate after the supplying the liquid, and wherein the supplying the liquid includes: supplying a first liquid to the substrate; and supplying a second liquid which is different from the first liquid to a substrate to which the first liquid is supplied, and wherein the second liquid is supplied as a test to the substrate and a contact angle between the second liquid which is supplied and the substrate is measured to determine a degree of hydrophilization of the substrate, and a supply mechanism of the second liquid supplied to the substrate is determined based on the degree of hydrophilization of the substrate which is determined, before the supplying the second liquid is performed.
Bibliography:Application Number: KR20220147298